Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/223779Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Борздов, В. М. | - |
| dc.contributor.author | Врубель, М. М. | - |
| dc.contributor.author | Мулярчик, С. Г. | - |
| dc.contributor.author | Хомич, А. В. | - |
| dc.date.accessioned | 2019-07-12T09:23:14Z | - |
| dc.date.available | 2019-07-12T09:23:14Z | - |
| dc.date.issued | 1997 | - |
| dc.identifier.citation | Вестник Белорусского государственного университета. Сер. 1, Физика. Математика. Информатика. – 1997. – № 3. – С. 28-30. | ru |
| dc.identifier.issn | 0321-0367 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/223779 | - |
| dc.description.abstract | The possibility to use Monte-Carlo method for simulation of electron scattering processes in the quantum well of double barrier resonant tunneling diode is discussed. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Минск : Універсітэцкае | ru |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | en |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Моделирование влияния процессов рассеяния на вольт-амперные характеристики резонансных туннельных диодов | ru |
| dc.type | article | ru |
| Располагается в коллекциях: | 1997, №3 (сентябрь) | |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.