Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/223779
Title: Моделирование влияния процессов рассеяния на вольт-амперные характеристики резонансных туннельных диодов
Authors: Борздов, В. М.
Врубель, М. М.
Мулярчик, С. Г.
Хомич, А. В.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 1997
Publisher: Минск : Універсітэцкае
Citation: Вестник Белорусского государственного университета. Сер. 1, Физика. Математика. Информатика. – 1997. – № 3. – С. 28-30.
Abstract: The possibility to use Monte-Carlo method for simulation of electron scattering processes in the quantum well of double barrier resonant tunneling diode is discussed.
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/223779
ISSN: 0321-0367
Licence: info:eu-repo/semantics/openAccess
Appears in Collections:1997, №3 (сентябрь)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
28-30.pdf559,09 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar



PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.