Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/223469| Title: | Механизмы электролюминесценции гетероструктур, используемые в светодиодных технологиях автомобильной светотехники |
| Authors: | Балохонов, Д. В. Сернов, С. П. Колонтаева, Т. В. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2008 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. III Междунар. науч. конф., Минск, 25-26 сент. 2008 г. / редкол. : В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск : БГУ, 2008. - С. 175-178 |
| Abstract: | В настоящее время все большую популярность в качестве источников света приобретают полупроводниковые светодиоды. Это обусловлено их надежностью, малыми размерами, вибро- и влагоустойчивостью. Практически все светодиоды с достаточно большим внешним квантовым выходом изготовляются на базе излучающих свет полупроводниковых гетероструктур. Данная работа посвящена способам, с помощью которых можно получить свет из гетероструктур, применяемых в качестве излучающих областей для светодиодов, используемых в автомобильных светотехнических изделиях. |
| URI: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/223469 |
| ISBN: | 978-985-518-091-4 |
| Appears in Collections: | 2008. Материалы и структуры современной электроники |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 175-178.pdf | 674 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.

