Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/223469Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Балохонов, Д. В. | - |
| dc.contributor.author | Сернов, С. П. | - |
| dc.contributor.author | Колонтаева, Т. В. | - |
| dc.date.accessioned | 2019-07-11T08:13:31Z | - |
| dc.date.available | 2019-07-11T08:13:31Z | - |
| dc.date.issued | 2008 | - |
| dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. III Междунар. науч. конф., Минск, 25-26 сент. 2008 г. / редкол. : В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск : БГУ, 2008. - С. 175-178 | ru |
| dc.identifier.isbn | 978-985-518-091-4 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/223469 | - |
| dc.description.abstract | В настоящее время все большую популярность в качестве источников света приобретают полупроводниковые светодиоды. Это обусловлено их надежностью, малыми размерами, вибро- и влагоустойчивостью. Практически все светодиоды с достаточно большим внешним квантовым выходом изготовляются на базе излучающих свет полупроводниковых гетероструктур. Данная работа посвящена способам, с помощью которых можно получить свет из гетероструктур, применяемых в качестве излучающих областей для светодиодов, используемых в автомобильных светотехнических изделиях. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Минск : БГУ | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Механизмы электролюминесценции гетероструктур, используемые в светодиодных технологиях автомобильной светотехники | ru |
| dc.type | conference paper | ru |
| Располагается в коллекциях: | 2008. Материалы и структуры современной электроники | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 175-178.pdf | 674 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.