Токи утечки в p-n-переходах интегральных схем, изготовленных пошаговым методом ионного легирования

Abstract

В слоях кремния во время ионной имплантации накапливаются в значительных концентрациях устойчивые при комнатных температурах радиационные дефекты. В процессе последующей термообработки, необходимой для отжига дефектов и элек­трической активации внедренной примеси, точечные дефекты перестраиваются в остаточные протяженные нарушения типа стержнеобразных дефектов, дефек­тов упаковки, дислокационных петель. Эти нарушения имеют междоузельную природу. Остаточные нарушения вносят глубокие уровни в запрешенную зону кремния и в значительной степени влияют на генерационно-рекомбинационные процессы в ионно-легированных структурах кремния. Тем самым они существенно ухудшают параметры полупроводниковых приборов и интегральных схем и снижают процент выхода годных изделий микроэлектроники.