Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: http://elib.bsu.by/handle/123456789/223452
Title: Токи утечки в p-n-переходах интегральных схем, изготовленных пошаговым методом ионного легирования
Authors: Плебанович, В. И.
Оджаев, В. Б.
Васильев, Ю. Б.
Явид, В. Ю.
Челядинский, А. Р.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2008
Publisher: Минск : БГУ
Citation: Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. III Междунар. науч. конф., Минск, 25-26 сент. 2008 г. / редкол. : В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск : БГУ, 2008. - С. 161-163
Abstract: В слоях кремния во время ионной имплантации накапливаются в значительных концентрациях устойчивые при комнатных температурах радиационные дефекты. В процессе последующей термообработки, необходимой для отжига дефектов и элек­трической активации внедренной примеси, точечные дефекты перестраиваются в остаточные протяженные нарушения типа стержнеобразных дефектов, дефек­тов упаковки, дислокационных петель. Эти нарушения имеют междоузельную природу. Остаточные нарушения вносят глубокие уровни в запрешенную зону кремния и в значительной степени влияют на генерационно-рекомбинационные процессы в ионно-легированных структурах кремния. Тем самым они существенно ухудшают параметры полупроводниковых приборов и интегральных схем и снижают процент выхода годных изделий микроэлектроники.
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/223452
ISBN: 978-985-518-091-4
Appears in Collections:2008. Материалы и структуры современной электроники

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
161-163.pdf531,17 kBAdobe PDFView/Open


PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.