Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/223289| Title: | Управление динамическим диапазоном фотоэлектрических преобразователей на основе полупроводников с глубокими примесями |
| Authors: | Гусев, О. К. Шадурская, Л. И. Яржембицкая, И. В. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2008 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. III Междунар. науч. конф., Минск, 25-26 сент. 2008 г. / редкол. : В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск : БГУ, 2008. - С. 62-64 |
| Abstract: | Фотоэлектрические полупроводниковые преобразователи (ФЭПП) на основе полупроводников с глубокими примесями используются для создания охлаждаемых матричных ИК-приборов и систем обнаружения в диапазонах от 1,5 до 5 мкм и от 8 до 12 мкм [1], для волоконно-оптических линий связи [2]. Метрологические характеристики ФЭПП на основе полупроводников с глубокими примесями, в том числе и динамический диапазон, определяются в основном характером рекомбинационных процессов с участием глубоких дефектов. Целью данной работы является анализ зависимости динамического диапазона ФЭПП на основе полупроводников с глубокими примесями от вида (характера) и концентрации глубокой примеси N, а также разработка методов управления динамическим диапазоном таких фотоприемников. |
| URI: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/223289 |
| ISBN: | 978-985-518-091-4 |
| Appears in Collections: | 2008. Материалы и структуры современной электроники |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.