Управление динамическим диапазоном фотоэлектрических преобразователей на основе полупроводников с глубокими примесями

Abstract

Фотоэлектрические полупроводниковые преобразователи (ФЭПП) на основе полупроводников с глубокими примесями используются для создания охлаждаемых матричных ИК-приборов и систем обнаружения в диапазонах от 1,5 до 5 мкм и от 8 до 12 мкм [1], для волоконно-оптических линий связи [2]. Метрологические характеристики ФЭПП на основе полупроводников с глубокими примесями, в том числе и динамический диапазон, определяются в основном характером рекомбинационных процессов с участием глубоких дефектов. Целью данной работы является анализ зависимости динамического диапазона ФЭПП на основе полупроводников с глубокими примесями от вида (характера) и концентрации глубокой примеси N, а также разработка методов управления динамическим диапазоном таких фотоприемников.