Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/223265| Заглавие документа: | Исследование влияния условии осаждения на структуру и морфологические свойства слоев поликристаллического кремния, легированного в процессе роста кислородом |
| Авторы: | Турцевич, А. С. Наливайко, О. Ю. Гайдук, П. И. Лепешкевич, Г. В. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2008 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. III Междунар. науч. конф., Минск, 25-26 сент. 2008 г. / редкол. : В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск : БГУ, 2008. - С. 44-49 |
| Аннотация: | Использование пленок поликристаллического кремния, легированного кислородом (ПКЛК), позволяет исключить образование паразитных каналов и обеспечить высокие пробивные напряжения дискретных силовых приборов [1, 2]. Кроме того, пленки полуизолирующего кремния могут использоваться для формирования высокоомных резисторов вместо поликремниевых резисторов, которые имеют большие разбросы величины сопротивления и высокий температурный коэффициент [3]. Настоящая работа посвящена исследованию влияния соотнощения потоков N20/SiH4 (у) на структурно-морфологические свойства пленок ПКЛК. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/223265 |
| ISBN: | 978-985-518-091-4 |
| Располагается в коллекциях: | 2008. Материалы и структуры современной электроники |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.