Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/223265Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Турцевич, А. С. | - |
| dc.contributor.author | Наливайко, О. Ю. | - |
| dc.contributor.author | Гайдук, П. И. | - |
| dc.contributor.author | Лепешкевич, Г. В. | - |
| dc.date.accessioned | 2019-07-09T08:54:14Z | - |
| dc.date.available | 2019-07-09T08:54:14Z | - |
| dc.date.issued | 2008 | - |
| dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. III Междунар. науч. конф., Минск, 25-26 сент. 2008 г. / редкол. : В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск : БГУ, 2008. - С. 44-49 | ru |
| dc.identifier.isbn | 978-985-518-091-4 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/223265 | - |
| dc.description.abstract | Использование пленок поликристаллического кремния, легированного кислородом (ПКЛК), позволяет исключить образование паразитных каналов и обеспечить высокие пробивные напряжения дискретных силовых приборов [1, 2]. Кроме того, пленки полуизолирующего кремния могут использоваться для формирования высокоомных резисторов вместо поликремниевых резисторов, которые имеют большие разбросы величины сопротивления и высокий температурный коэффициент [3]. Настоящая работа посвящена исследованию влияния соотнощения потоков N20/SiH4 (у) на структурно-морфологические свойства пленок ПКЛК. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Минск : БГУ | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Исследование влияния условии осаждения на структуру и морфологические свойства слоев поликристаллического кремния, легированного в процессе роста кислородом | ru |
| dc.type | conference paper | ru |
| Располагается в коллекциях: | 2008. Материалы и структуры современной электроники | |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.