Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/223230| Заглавие документа: | Особенности лавинного пробоя перехода коллектор-база субмикронного биполярного транзистора |
| Авторы: | Пилипенко, В. А. Понарядов, В. В. Горушко, В. А. Сякерский, В. С. Петлицкая, Т. В. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2008 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. III Междунар. науч. конф., Минск, 25-26 сент. 2008 г. / редкол. : В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск : БГУ, 2008. - С. 9-13 |
| Аннотация: | Основной тенденцией развития сверхболыиих интегральных схем (СБИС) является увеличение степени их интеграции. Это достигается путем пропорционального мас1ита- бирования, когда имеет место уменыиение как топологических, так и вертикальных раз- меров биполярных микросхем, а именно: глубины базы, эмитгера, толщины диэлектри- ческих, эпитаксиальных и токопроводящих слоев [1-3]. Изменение толщины эпитакси- альной пленки с 1,5 до 1,0 мкм позволяет за счет уменьщения бокового ухода в процессе травления и окисления кремния увеличить степень интефации в 1,3 раза. При уменьще- нии толщины эпитаксиапьной пленки до 0,6 мкм степень интеграции увеличивается в 2 раза с сохранением проектных норм проектирования. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/223230 |
| ISBN: | 978-985-518-091-4 |
| Располагается в коллекциях: | 2008. Материалы и структуры современной электроники |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.