Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/223227| Title: | Properties of InAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy on Ge (100) |
| Authors: | Trunov, K. V. Reuter, D. Berezhna, O. Kolkovsky, V. Lundsgaard Hansen, J. Chevallier, J. Nylandsted Larsen, A. Wieck, A. D. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2008 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. III Междунар. науч. конф., Минск, 25-26 сент. 2008 г. / редкол. : В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск : БГУ, 2008. - С. 5-8. |
| Abstract: | InAs quantum dots (QDs) imbedded in a GaAs matrix grown by molecular beam epitaxy (MBE) on Ge (100) substrates have been investigated using transmission electron microscopy, photoluminescence spectroscopy, capacitance voltage spectroscopy and deep level transient spectroscopy. In comparison to a reference sample grown on GaAs (100) substrate with the same growth parameters, we observe similar QD densities, but smaller QDs with a broader size distribution on Ge substrate. This is attributed to a strained GaAs matrix in these samples. |
| URI: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/223227 |
| ISBN: | 978-985-518-091-4 |
| Appears in Collections: | 2008. Материалы и структуры современной электроники |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.