Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/223227| Заглавие документа: | Properties of InAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy on Ge (100) |
| Авторы: | Trunov, K. V. Reuter, D. Berezhna, O. Kolkovsky, V. Lundsgaard Hansen, J. Chevallier, J. Nylandsted Larsen, A. Wieck, A. D. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2008 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. III Междунар. науч. конф., Минск, 25-26 сент. 2008 г. / редкол. : В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск : БГУ, 2008. - С. 5-8. |
| Аннотация: | InAs quantum dots (QDs) imbedded in a GaAs matrix grown by molecular beam epitaxy (MBE) on Ge (100) substrates have been investigated using transmission electron microscopy, photoluminescence spectroscopy, capacitance voltage spectroscopy and deep level transient spectroscopy. In comparison to a reference sample grown on GaAs (100) substrate with the same growth parameters, we observe similar QD densities, but smaller QDs with a broader size distribution on Ge substrate. This is attributed to a strained GaAs matrix in these samples. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/223227 |
| ISBN: | 978-985-518-091-4 |
| Располагается в коллекциях: | 2008. Материалы и структуры современной электроники |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.