Просмотр "2008. Материалы и структуры современной электроники" Авторы Шпаковский, С. В.
Результаты 1 - 2 из 2
Предварительный просмотр | Дата выпуска | Заглавие | Автор(ы) |
| 2008 | Влияние электронного облучения при 300 / 800 К на параметры кремниевых p-n-структур | Коршунов, Ф. П.; Богатырев, Ю. В.; Ластовский, С. Б.; Маркевич, В. П.; Мурин, Л. И.; Шпаковский, С. В. |
| 2008 | Импеданс кремниевых p+n-диодов в области микроплазменного пробоя | Поклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Филипеня, В. А.; Соловьев, Я. А.; Лacтoвcкий, С. Б.; Wieck, А. |