Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/215236| Title: | Теоретическое исследование полевых транзисторов и резонансно-туннельных диодов на основе графена |
| Other Titles: | Theoretical studies of field-effect transistors and resonant tunneling diodes based on graphene / I. I. Abramov, V. A. Labunov, N. V. Kolomejtseva, I. A. Romanova, I. Y. Shcherbakova |
| Authors: | Абрамов, И. И. Лабунов, В. А. Коломейцева, Н. В. Романова, И. А. Щербакова, И. Ю. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2018 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Материалы и структуры современной электроники : материалы VIII Междунар. науч. конф., Минск, 10–12 окт. 2018 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2018. – С. 219-222. |
| Abstract: | В докладе описаны комбинированные модели полевых графеновых транзисторов (ПГТ) и резонансно-туннельных диодов (РТД) на основе графена. С их помощью исследованы вольт-амперные характеристики (ВАХ) приборов в различных режимах работы. |
| Abstract (in another language): | In the paper the combined models of graphene field-effect transistors and resonant tunneling diodes based on graphene are presented. IV-characteristics were investigated with the use of the proposed models in different operating mode. |
| Description: | Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах |
| URI: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/215236 |
| ISBN: | 978-985-566-671-5 |
| Sponsorship: | Работы проведены в рамках проектов Государственных программ научных исследований Республики Беларусь "Конвергенция" и "Нанотех". |
| Appears in Collections: | 2018. Материалы и структуры современной электроники |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 219-222.pdf | 353,99 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.