Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/215236Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Абрамов, И. И. | |
| dc.contributor.author | Лабунов, В. А. | |
| dc.contributor.author | Коломейцева, Н. В. | |
| dc.contributor.author | Романова, И. А. | |
| dc.contributor.author | Щербакова, И. Ю. | |
| dc.date.accessioned | 2019-02-21T13:28:19Z | - |
| dc.date.available | 2019-02-21T13:28:19Z | - |
| dc.date.issued | 2018 | |
| dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники : материалы VIII Междунар. науч. конф., Минск, 10–12 окт. 2018 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2018. – С. 219-222. | |
| dc.identifier.isbn | 978-985-566-671-5 | |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/215236 | - |
| dc.description | Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах | |
| dc.description.abstract | В докладе описаны комбинированные модели полевых графеновых транзисторов (ПГТ) и резонансно-туннельных диодов (РТД) на основе графена. С их помощью исследованы вольт-амперные характеристики (ВАХ) приборов в различных режимах работы. | |
| dc.description.sponsorship | Работы проведены в рамках проектов Государственных программ научных исследований Республики Беларусь "Конвергенция" и "Нанотех". | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Теоретическое исследование полевых транзисторов и резонансно-туннельных диодов на основе графена | |
| dc.title.alternative | Theoretical studies of field-effect transistors and resonant tunneling diodes based on graphene / I. I. Abramov, V. A. Labunov, N. V. Kolomejtseva, I. A. Romanova, I. Y. Shcherbakova | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | In the paper the combined models of graphene field-effect transistors and resonant tunneling diodes based on graphene are presented. IV-characteristics were investigated with the use of the proposed models in different operating mode. | |
| Располагается в коллекциях: | 2018. Материалы и структуры современной электроники | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 219-222.pdf | 353,99 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.