Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/215236
Заглавие документа: | Теоретическое исследование полевых транзисторов и резонансно-туннельных диодов на основе графена |
Другое заглавие: | Theoretical studies of field-effect transistors and resonant tunneling diodes based on graphene / I. I. Abramov, V. A. Labunov, N. V. Kolomejtseva, I. A. Romanova, I. Y. Shcherbakova |
Авторы: | Абрамов, И. И. Лабунов, В. А. Коломейцева, Н. В. Романова, И. А. Щербакова, И. Ю. |
Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
Дата публикации: | 2018 |
Издатель: | Минск : БГУ |
Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы VIII Междунар. науч. конф., Минск, 10–12 окт. 2018 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2018. – С. 219-222. |
Аннотация: | В докладе описаны комбинированные модели полевых графеновых транзисторов (ПГТ) и резонансно-туннельных диодов (РТД) на основе графена. С их помощью исследованы вольт-амперные характеристики (ВАХ) приборов в различных режимах работы. |
Аннотация (на другом языке): | In the paper the combined models of graphene field-effect transistors and resonant tunneling diodes based on graphene are presented. IV-characteristics were investigated with the use of the proposed models in different operating mode. |
Доп. сведения: | Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах |
URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/215236 |
ISBN: | 978-985-566-671-5 |
Финансовая поддержка: | Работы проведены в рамках проектов Государственных программ научных исследований Республики Беларусь "Конвергенция" и "Нанотех". |
Располагается в коллекциях: | 2018. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
219-222.pdf | 353,99 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.