Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/215236
Заглавие документа: Теоретическое исследование полевых транзисторов и резонансно-туннельных диодов на основе графена
Другое заглавие: Theoretical studies of field-effect transistors and resonant tunneling diodes based on graphene / I. I. Abramov, V. A. Labunov, N. V. Kolomejtseva, I. A. Romanova, I. Y. Shcherbakova
Авторы: Абрамов, И. И.
Лабунов, В. А.
Коломейцева, Н. В.
Романова, И. А.
Щербакова, И. Ю.
Тема: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Дата публикации: 2018
Издатель: Минск : БГУ
Библиографическое описание источника: Материалы и структуры современной электроники : материалы VIII Междунар. науч. конф., Минск, 10–12 окт. 2018 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2018. – С. 219-222.
Аннотация: В докладе описаны комбинированные модели полевых графеновых транзисторов (ПГТ) и резонансно-туннельных диодов (РТД) на основе графена. С их помощью исследованы вольт-амперные характеристики (ВАХ) приборов в различных режимах работы.
Аннотация (на другом языке): In the paper the combined models of graphene field-effect transistors and resonant tunneling diodes based on graphene are presented. IV-characteristics were investigated with the use of the proposed models in different operating mode.
Доп. сведения: Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах
URI документа: http://elib.bsu.by/handle/123456789/215236
ISBN: 978-985-566-671-5
Финансовая поддержка: Работы проведены в рамках проектов Государственных программ научных исследований Республики Беларусь "Конвергенция" и "Нанотех".
Располагается в коллекциях:2018. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
219-222.pdf353,99 kBAdobe PDFОткрыть
Показать полное описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.