Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/215214| Title: | Фотолюминесценция кремния, имплантированного ионами кремния и германия |
| Other Titles: | Photoluminescence of silicon implanted by silicon and germanium ions / A. V. Mudryi, V. D. Zhivulko, O. M. Borodavchenko, Zh. V. Smagina, V. A. Zinoviev, A. V. Dvurechenskii |
| Authors: | Мудрый, А. В. Живулько, В. Д. Бородавченко, О. М. Смагина, Ж. В. Зиновьев, В. А. Двуреченский, А. В. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2018 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Материалы и структуры современной электроники : материалы VIII Междунар. науч. конф., Минск, 10–12 окт. 2018 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2018. – С. 133-137. |
| Abstract: | Для исследования природы дефектов в ионно-имплантированном кремнии использована низкотемпературная (4.2 K) фотолюминесценция. Установлено, что отжиг имплантированного кремния при температурах ~ 25–600 °С приводит к появлению в спектрах фотолюминесценции различных электронно-колебательных полос с бесфононными линями, которые связаны с ионно-индуцированными точечными дефектами. Широкие полосы фотолюминесценции, обнаруженные на высокотемпературных стадиях отжига ~ 600–900 °С, отнесены к излучательной рекомбинации на дислокациях. |
| Abstract (in another language): | Low-temperature (4.2 K) photoluminescence was employed to investigate the nature of defects in ion-implanted silicon. It was found that annealing of the implanted silicon at temperatures of 25–600 °С leads to the appearance in the photoluminescence spectra of various electron-vibrational bands with zero-phonon lines that are associated with ion-induced point defects. The broad photoluminescence bands observed at high-temperature annealing stages ~ 600–900°С are attributed to radiative recombination at dislocations. |
| Description: | Дефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках |
| URI: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/215214 |
| ISBN: | 978-985-566-671-5 |
| Sponsorship: | Работа выполнена при финансовой поддержке Белорусского республиканского фонда фундаментальных исследований (проект Ф18Р-038), Российского фонда фундаментальных исследований (грант «Бел_а» № 18-52-00014) и Гос. задания – 0306-2016-0015. |
| Appears in Collections: | 2018. Материалы и структуры современной электроники |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 133-137.pdf | 433,79 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.