Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
  2. Физический факультет
  3. НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ ФИЗИЧЕСКОГО ФАКУЛЬТЕТА
  4. Сборники научных статей и материалы конференций физического факультета
  5. Материалы и структуры современной электроники
  6. 2018. Материалы и структуры современной электроники
Issue Date Author Title Subject
Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/215214
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorМудрый, А. В.
dc.contributor.authorЖивулько, В. Д.
dc.contributor.authorБородавченко, О. М.
dc.contributor.authorСмагина, Ж. В.
dc.contributor.authorЗиновьев, В. А.
dc.contributor.authorДвуреченский, А. В.
dc.date.accessioned2019-02-21T13:28:15Z-
dc.date.available2019-02-21T13:28:15Z-
dc.date.issued2018
dc.identifier.citationМатериалы и структуры современной электроники : материалы VIII Междунар. науч. конф., Минск, 10–12 окт. 2018 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2018. – С. 133-137.
dc.identifier.isbn978-985-566-671-5
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/215214-
dc.descriptionДефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках
dc.description.abstractДля исследования природы дефектов в ионно-имплантированном кремнии использована низкотемпературная (4.2 K) фотолюминесценция. Установлено, что отжиг имплантированного кремния при температурах ~ 25–600 °С приводит к появлению в спектрах фотолюминесценции различных электронно-колебательных полос с бесфононными линями, которые связаны с ионно-индуцированными точечными дефектами. Широкие полосы фотолюминесценции, обнаруженные на высокотемпературных стадиях отжига ~ 600–900 °С, отнесены к излучательной рекомбинации на дислокациях.
dc.description.sponsorshipРабота выполнена при финансовой поддержке Белорусского республиканского фонда фундаментальных исследований (проект Ф18Р-038), Российского фонда фундаментальных исследований (грант «Бел_а» № 18-52-00014) и Гос. задания – 0306-2016-0015.
dc.language.isoru
dc.publisherМинск : БГУ
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
dc.titleФотолюминесценция кремния, имплантированного ионами кремния и германия
dc.title.alternativePhotoluminescence of silicon implanted by silicon and germanium ions / A. V. Mudryi, V. D. Zhivulko, O. M. Borodavchenko, Zh. V. Smagina, V. A. Zinoviev, A. V. Dvurechenskii
dc.typeconference paper
dc.description.alternativeLow-temperature (4.2 K) photoluminescence was employed to investigate the nature of defects in ion-implanted silicon. It was found that annealing of the implanted silicon at temperatures of 25–600 °С leads to the appearance in the photoluminescence spectra of various electron-vibrational bands with zero-phonon lines that are associated with ion-induced point defects. The broad photoluminescence bands observed at high-temperature annealing stages ~ 600–900°С are attributed to radiative recombination at dislocations.
Appears in Collections:2018. Материалы и структуры современной электроники

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
133-137.pdf433,79 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar



Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.