Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: http://elib.bsu.by/handle/123456789/215214
Title: Фотолюминесценция кремния, имплантированного ионами кремния и германия
Other Titles: Photoluminescence of silicon implanted by silicon and germanium ions / A. V. Mudryi, V. D. Zhivulko, O. M. Borodavchenko, Zh. V. Smagina, V. A. Zinoviev, A. V. Dvurechenskii
Authors: Мудрый, А. В.
Живулько, В. Д.
Бородавченко, О. М.
Смагина, Ж. В.
Зиновьев, В. А.
Двуреченский, А. В.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2018
Publisher: Минск : БГУ
Citation: Материалы и структуры современной электроники : материалы VIII Междунар. науч. конф., Минск, 10–12 окт. 2018 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2018. – С. 133-137.
Abstract: Для исследования природы дефектов в ионно-имплантированном кремнии использована низкотемпературная (4.2 K) фотолюминесценция. Установлено, что отжиг имплантированного кремния при температурах ~ 25–600 °С приводит к появлению в спектрах фотолюминесценции различных электронно-колебательных полос с бесфононными линями, которые связаны с ионно-индуцированными точечными дефектами. Широкие полосы фотолюминесценции, обнаруженные на высокотемпературных стадиях отжига ~ 600–900 °С, отнесены к излучательной рекомбинации на дислокациях.
Abstract (in another language): Low-temperature (4.2 K) photoluminescence was employed to investigate the nature of defects in ion-implanted silicon. It was found that annealing of the implanted silicon at temperatures of 25–600 °С leads to the appearance in the photoluminescence spectra of various electron-vibrational bands with zero-phonon lines that are associated with ion-induced point defects. The broad photoluminescence bands observed at high-temperature annealing stages ~ 600–900°С are attributed to radiative recombination at dislocations.
Description: Дефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/215214
ISBN: 978-985-566-671-5
Appears in Collections:2018. Материалы и структуры современной электроники

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
133-137.pdf433,79 kBAdobe PDFView/Open


PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.