Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/215214
Заглавие документа: | Фотолюминесценция кремния, имплантированного ионами кремния и германия |
Другое заглавие: | Photoluminescence of silicon implanted by silicon and germanium ions / A. V. Mudryi, V. D. Zhivulko, O. M. Borodavchenko, Zh. V. Smagina, V. A. Zinoviev, A. V. Dvurechenskii |
Авторы: | Мудрый, А. В. Живулько, В. Д. Бородавченко, О. М. Смагина, Ж. В. Зиновьев, В. А. Двуреченский, А. В. |
Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
Дата публикации: | 2018 |
Издатель: | Минск : БГУ |
Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы VIII Междунар. науч. конф., Минск, 10–12 окт. 2018 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2018. – С. 133-137. |
Аннотация: | Для исследования природы дефектов в ионно-имплантированном кремнии использована низкотемпературная (4.2 K) фотолюминесценция. Установлено, что отжиг имплантированного кремния при температурах ~ 25–600 °С приводит к появлению в спектрах фотолюминесценции различных электронно-колебательных полос с бесфононными линями, которые связаны с ионно-индуцированными точечными дефектами. Широкие полосы фотолюминесценции, обнаруженные на высокотемпературных стадиях отжига ~ 600–900 °С, отнесены к излучательной рекомбинации на дислокациях. |
Аннотация (на другом языке): | Low-temperature (4.2 K) photoluminescence was employed to investigate the nature of defects in ion-implanted silicon. It was found that annealing of the implanted silicon at temperatures of 25–600 °С leads to the appearance in the photoluminescence spectra of various electron-vibrational bands with zero-phonon lines that are associated with ion-induced point defects. The broad photoluminescence bands observed at high-temperature annealing stages ~ 600–900°С are attributed to radiative recombination at dislocations. |
Доп. сведения: | Дефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках |
URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/215214 |
ISBN: | 978-985-566-671-5 |
Финансовая поддержка: | Работа выполнена при финансовой поддержке Белорусского республиканского фонда фундаментальных исследований (проект Ф18Р-038), Российского фонда фундаментальных исследований (грант «Бел_а» № 18-52-00014) и Гос. задания – 0306-2016-0015. |
Располагается в коллекциях: | 2018. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
133-137.pdf | 433,79 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.