Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/208828| Title: | Микротвердость ковалентных полупроводников, легированных редкоземельными примесями |
| Authors: | Бринкевич, Дмитрий Иванович Вабищевич, Сергей Ананьевич Вабищевич, Наталья Вячеславовна Просолович, Владислав Савельевич Янковский, Юрий Николаевич Явид, Валентин Юлианович |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2002 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Вестник Белорусского государственного университета. Сер. 1, Физика. Математика. Информатика. – 2002. - № 1. – С. 53-56. |
| Abstract: | The influence of the rare-earth doping on the microhardness of the Cz-silicon and Cz-germanium monocrystals has been studied. It is established that rare-earth atom (Dy, Er, Nd) clusters increase the microhardness of the covalent semiconductors. The decrease of the microhardness of silicon wafers from the monocrystal top take place because this elements are the effective getters for the background tecnological impurities. |
| URI: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/208828 |
| ISSN: | 0321-0367 |
| Licence: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Appears in Collections: | 2002, №1 (январь) |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.