Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/208828Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Бринкевич, Дмитрий Иванович | - |
| dc.contributor.author | Вабищевич, Сергей Ананьевич | - |
| dc.contributor.author | Вабищевич, Наталья Вячеславовна | - |
| dc.contributor.author | Просолович, Владислав Савельевич | - |
| dc.contributor.author | Янковский, Юрий Николаевич | - |
| dc.contributor.author | Явид, Валентин Юлианович | - |
| dc.date.accessioned | 2018-11-20T09:42:44Z | - |
| dc.date.available | 2018-11-20T09:42:44Z | - |
| dc.date.issued | 2002 | - |
| dc.identifier.citation | Вестник Белорусского государственного университета. Сер. 1, Физика. Математика. Информатика. – 2002. - № 1. – С. 53-56. | ru |
| dc.identifier.issn | 0321-0367 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/208828 | - |
| dc.description.abstract | The influence of the rare-earth doping on the microhardness of the Cz-silicon and Cz-germanium monocrystals has been studied. It is established that rare-earth atom (Dy, Er, Nd) clusters increase the microhardness of the covalent semiconductors. The decrease of the microhardness of silicon wafers from the monocrystal top take place because this elements are the effective getters for the background tecnological impurities. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Минск : БГУ | ru |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | en |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Микротвердость ковалентных полупроводников, легированных редкоземельными примесями | ru |
| dc.type | article | ru |
| Располагается в коллекциях: | 2002, №1 (январь) | |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.