Дефектообразование в эпитаксиальном кремнии n-типа при имплантации низкоэнергетическими ионами водорода

Abstract

Методом OLTS исследован энергетический спектр уровней радиационных дефектов в эпитаксиальном кремнии n-типа, облученном ионами водорода с энергией 300 кэВ. Обнаружено возрастание амплитуды пика DLTS с увеличением температуры его регистрации, что свидетельствует об образовании областей скопления дефектов с невысокой, меньшей исходного уровня легирования, плотностью смещения. После выдержки облученных образцов при комнатной температуре в течение нескольких месяцев эти области распадаются с образованием точечных изолированных A-, E-центров и водородосодержащих дефектов с уровнем Ec-0,31 эВ. Показано, что комплексы с уровнем Ес-0,31 образуются путем присоединения к A-центру атомов водорода. При Т>150 0C этот дефект начинает отжигаться, и одновременно восстанавливается А-центр.