Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/207624
Заглавие документа: Дефектообразование в эпитаксиальном кремнии n-типа при имплантации низкоэнергетическими ионами водорода
Другое заглавие: Damage forming in epitaxial n-silicon under hydrogen ions implantation of the low energy / J. M.Pokotilo, A.N.Petuch, N.F.Golubev, V.G.Tsvirko
Авторы: Покотило, Ю. М.
Петух, А. Н.
Голубев, Н. Ф.
Цвырко, В. Г.
Тема: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Дата публикации: 2003
Издатель: Минск : БГУ
Библиографическое описание источника: Взаимодействие излучений с твердым телом: материалы V междунар. науч. конф., 6-9 окт. 2003 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2003. — С. 190-192.
Аннотация: Методом OLTS исследован энергетический спектр уровней радиационных дефектов в эпитаксиальном кремнии n-типа, облученном ионами водорода с энергией 300 кэВ. Обнаружено возрастание амплитуды пика DLTS с увеличением температуры его регистрации, что свидетельствует об образовании областей скопления дефектов с невысокой, меньшей исходного уровня легирования, плотностью смещения. После выдержки облученных образцов при комнатной температуре в течение нескольких месяцев эти области распадаются с образованием точечных изолированных A-, E-центров и водородосодержащих дефектов с уровнем Ec-0,31 эВ. Показано, что комплексы с уровнем Ес-0,31 образуются путем присоединения к A-центру атомов водорода. При Т>150 0C этот дефект начинает отжигаться, и одновременно восстанавливается А-центр.
Аннотация (на другом языке): Energetic spectrum of the radiation defects in the n-type silicon irradiated by hydrogen ions with 300 keV energy have been investigated by DLTS method. It was made, that A-, E-centers and hydrogen-related defects with Ec-0,31 level form. It was shown, that due to hydrogen atoms add to А-center, complexes with Ec-0,31 level form. Under T>150 0C this defect begin to anneal and at the same time А-center begin to re-establish.
URI документа: http://elib.bsu.by/handle/123456789/207624
ISBN: 985-445-236-0; 985-445-235-2
Располагается в коллекциях:2003. Взаимодействие излучений с твердым телом

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
190-192.pdf2,46 MBAdobe PDFОткрыть
Показать полное описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.