Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/207624
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorПокотило, Ю. М.-
dc.contributor.authorПетух, А. Н.-
dc.contributor.authorГолубев, Н. Ф.-
dc.contributor.authorЦвырко, В. Г.-
dc.date.accessioned2018-10-24T08:55:08Z-
dc.date.available2018-10-24T08:55:08Z-
dc.date.issued2003-
dc.identifier.citationВзаимодействие излучений с твердым телом: материалы V междунар. науч. конф., 6-9 окт. 2003 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2003. — С. 190-192.ru
dc.identifier.isbn985-445-236-0; 985-445-235-2-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/207624-
dc.description.abstractМетодом OLTS исследован энергетический спектр уровней радиационных дефектов в эпитаксиальном кремнии n-типа, облученном ионами водорода с энергией 300 кэВ. Обнаружено возрастание амплитуды пика DLTS с увеличением температуры его регистрации, что свидетельствует об образовании областей скопления дефектов с невысокой, меньшей исходного уровня легирования, плотностью смещения. После выдержки облученных образцов при комнатной температуре в течение нескольких месяцев эти области распадаются с образованием точечных изолированных A-, E-центров и водородосодержащих дефектов с уровнем Ec-0,31 эВ. Показано, что комплексы с уровнем Ес-0,31 образуются путем присоединения к A-центру атомов водорода. При Т>150 0C этот дефект начинает отжигаться, и одновременно восстанавливается А-центр.ru
dc.language.isoruru
dc.publisherМинск : БГУru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleДефектообразование в эпитаксиальном кремнии n-типа при имплантации низкоэнергетическими ионами водородаru
dc.title.alternativeDamage forming in epitaxial n-silicon under hydrogen ions implantation of the low energy / J. M.Pokotilo, A.N.Petuch, N.F.Golubev, V.G.Tsvirkoru
dc.typeconference paperru
dc.description.alternativeEnergetic spectrum of the radiation defects in the n-type silicon irradiated by hydrogen ions with 300 keV energy have been investigated by DLTS method. It was made, that A-, E-centers and hydrogen-related defects with Ec-0,31 level form. It was shown, that due to hydrogen atoms add to А-center, complexes with Ec-0,31 level form. Under T>150 0C this defect begin to anneal and at the same time А-center begin to re-establish.ru
Appears in Collections:2003. Взаимодействие излучений с твердым телом

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
190-192.pdf2,46 MBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar



PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.