Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/207624
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Покотило, Ю. М. | - |
dc.contributor.author | Петух, А. Н. | - |
dc.contributor.author | Голубев, Н. Ф. | - |
dc.contributor.author | Цвырко, В. Г. | - |
dc.date.accessioned | 2018-10-24T08:55:08Z | - |
dc.date.available | 2018-10-24T08:55:08Z | - |
dc.date.issued | 2003 | - |
dc.identifier.citation | Взаимодействие излучений с твердым телом: материалы V междунар. науч. конф., 6-9 окт. 2003 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2003. — С. 190-192. | ru |
dc.identifier.isbn | 985-445-236-0; 985-445-235-2 | - |
dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/207624 | - |
dc.description.abstract | Методом OLTS исследован энергетический спектр уровней радиационных дефектов в эпитаксиальном кремнии n-типа, облученном ионами водорода с энергией 300 кэВ. Обнаружено возрастание амплитуды пика DLTS с увеличением температуры его регистрации, что свидетельствует об образовании областей скопления дефектов с невысокой, меньшей исходного уровня легирования, плотностью смещения. После выдержки облученных образцов при комнатной температуре в течение нескольких месяцев эти области распадаются с образованием точечных изолированных A-, E-центров и водородосодержащих дефектов с уровнем Ec-0,31 эВ. Показано, что комплексы с уровнем Ес-0,31 образуются путем присоединения к A-центру атомов водорода. При Т>150 0C этот дефект начинает отжигаться, и одновременно восстанавливается А-центр. | ru |
dc.language.iso | ru | ru |
dc.publisher | Минск : БГУ | ru |
dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
dc.title | Дефектообразование в эпитаксиальном кремнии n-типа при имплантации низкоэнергетическими ионами водорода | ru |
dc.title.alternative | Damage forming in epitaxial n-silicon under hydrogen ions implantation of the low energy / J. M.Pokotilo, A.N.Petuch, N.F.Golubev, V.G.Tsvirko | ru |
dc.type | conference paper | ru |
dc.description.alternative | Energetic spectrum of the radiation defects in the n-type silicon irradiated by hydrogen ions with 300 keV energy have been investigated by DLTS method. It was made, that A-, E-centers and hydrogen-related defects with Ec-0,31 level form. It was shown, that due to hydrogen atoms add to А-center, complexes with Ec-0,31 level form. Under T>150 0C this defect begin to anneal and at the same time А-center begin to re-establish. | ru |
Располагается в коллекциях: | 2003. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
190-192.pdf | 2,46 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.