Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/206822| Заглавие документа: | Small-dose effects on electrical characteristics of AIGaN/GaN microwave transistors |
| Авторы: | Belyaev, A. E. Konakova, R. V. Avksentyev, A. Yu. Kurakin, A. M. Lytvyn, P. M. Vitusevich, S. A. Petrychuk, M. V. Klein, N. Danylyuk, S. V. DaniIchenko, B. A. TiIak, V. Smart, J. Vertiatchikh, A. Eastman, L. F. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2003 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Взаимодействие излучений с твердым телом: материалы V междунар. науч. конф., 6-9 окт. 2003 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2003. — С. 96-98. |
| Аннотация: | Effect of small dose gamma-irradiation on electrical characteristics of AIGaN/GaN high electron mobility transistors has been investigated. Decreasing of the leakage current and its noise has been registered after dose of 1x10*6 Rad. As-grown heterostructures used in further for the device fabrication have been examined after the same radiation treatment. The small dose radiation results are explained within a model that takes into account relaxation of elastic strains and structural-impurity ordering occurring in the barrier layer under irradiation. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/206822 |
| ISBN: | 985-445-236-0; 985-445-235-2 |
| Располагается в коллекциях: | 2003. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.