Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
  2. Физический факультет
  3. НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ ФИЗИЧЕСКОГО ФАКУЛЬТЕТА
  4. Сборники научных статей и материалы конференций физического факультета
  5. Взаимодействие излучений с твердым телом
  6. 2003. Взаимодействие излучений с твердым телом
Даты публикации Авторы Заглавия Темы
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/206822
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorBelyaev, A. E.-
dc.contributor.authorKonakova, R. V.-
dc.contributor.authorAvksentyev, A. Yu.-
dc.contributor.authorKurakin, A. M.-
dc.contributor.authorLytvyn, P. M.-
dc.contributor.authorVitusevich, S. A.-
dc.contributor.authorPetrychuk, M. V.-
dc.contributor.authorKlein, N.-
dc.contributor.authorDanylyuk, S. V.-
dc.contributor.authorDaniIchenko, B. A.-
dc.contributor.authorTiIak, V.-
dc.contributor.authorSmart, J.-
dc.contributor.authorVertiatchikh, A.-
dc.contributor.authorEastman, L. F.-
dc.date.accessioned2018-10-09T12:06:03Z-
dc.date.available2018-10-09T12:06:03Z-
dc.date.issued2003-
dc.identifier.citationВзаимодействие излучений с твердым телом: материалы V междунар. науч. конф., 6-9 окт. 2003 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2003. — С. 96-98.ru
dc.identifier.isbn985-445-236-0; 985-445-235-2-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/206822-
dc.description.abstractEffect of small dose gamma-irradiation on electrical characteristics of AIGaN/GaN high electron mobility transistors has been investigated. Decreasing of the leakage current and its noise has been registered after dose of 1x10*6 Rad. As-grown heterostructures used in further for the device fabrication have been examined after the same radiation treatment. The small dose radiation results are explained within a model that takes into account relaxation of elastic strains and structural-impurity ordering occurring in the barrier layer under irradiation.ru
dc.language.isoenru
dc.publisherМинск : БГУru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleSmall-dose effects on electrical characteristics of AIGaN/GaN microwave transistorsru
dc.typeconference paperru
Располагается в коллекциях:2003. Взаимодействие излучений с твердым телом

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
96-98.pdf2,89 MBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.