Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/206628| Title: | Формирование приповерхностных структур на кремнии в условиях быстрой термообработки и примеси в зоне реакции |
| Other Titles: | The surface structures formation on silicon during the rapid thermal treatment and the presence of an impurity in a reacting zone / O.R.Lyudchik, S.A.VoIk |
| Authors: | Людчик, О. Р. Волк, С. А. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 1999 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Взаимодействие излучений с твердым телом: Материалы III междунар. науч. конф., 6-8 окт. 1999 г., Минск: В 2 ч. Ч.2. — Мн.: БГУ, 1999. — С. 162-165. |
| Abstract: | Исследованы процессы формирования силицидов в системе пленка-матрица в условиях присутствия примеси в пленке. На примере системы Ni(W)-Si показано, что температура и скорость нагрева при быстрой термообработке определяет поведение слабодиффундирующей примеси. Присутствие углерода в пленке металла повышает начальную температуру реакции и замедляет ее скорость. |
| Abstract (in another language): | The processes of silicide formation in system a film - matrix with presence of an impurity in a reacting film (structures Ni (W) –Si and Ni (C) -Si) are investigated. The speed of heating and temperature of a sample during the rapid thermal process (annealing) define the behavior of poorly -diffuse impurity (W), promoting either replacement it to a surface (T = 800 Ё C), or migration in a crystal ( V t > 200 0C1 T = 950 °C). The presence of carbon at a film of metal is proved to raise the initial temperature and to slow down speed of reaction between a film and matrix. |
| URI: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/206628 |
| ISBN: | 985-445-237-9 |
| Appears in Collections: | 1999. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 162-165.pdf | 4 MB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.