Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
  2. Физический факультет
  3. НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ ФИЗИЧЕСКОГО ФАКУЛЬТЕТА
  4. Сборники научных статей и материалы конференций физического факультета
  5. Взаимодействие излучений с твердым телом
  6. 1999. Взаимодействие излучений с твердым телом
Даты публикации Авторы Заглавия Темы
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/206628
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorЛюдчик, О. Р.-
dc.contributor.authorВолк, С. А.-
dc.date.accessioned2018-10-04T09:27:51Z-
dc.date.available2018-10-04T09:27:51Z-
dc.date.issued1999-
dc.identifier.citationВзаимодействие излучений с твердым телом: Материалы III междунар. науч. конф., 6-8 окт. 1999 г., Минск: В 2 ч. Ч.2. — Мн.: БГУ, 1999. — С. 162-165.ru
dc.identifier.isbn985-445-237-9-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/206628-
dc.description.abstractИсследованы процессы формирования силицидов в системе пленка-матрица в условиях присутствия примеси в пленке. На примере системы Ni(W)-Si показано, что температура и скорость нагрева при быстрой термообработке определяет поведение слабодиффундирующей примеси. Присутствие углерода в пленке металла повышает начальную температуру реакции и замедляет ее скорость.ru
dc.language.isoruru
dc.publisherМинск : БГУru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleФормирование приповерхностных структур на кремнии в условиях быстрой термообработки и примеси в зоне реакцииru
dc.title.alternativeThe surface structures formation on silicon during the rapid thermal treatment and the presence of an impurity in a reacting zone / O.R.Lyudchik, S.A.VoIkru
dc.typeconference paperru
dc.description.alternativeThe processes of silicide formation in system a film - matrix with presence of an impurity in a reacting film (structures Ni (W) –Si and Ni (C) -Si) are investigated. The speed of heating and temperature of a sample during the rapid thermal process (annealing) define the behavior of poorly -diffuse impurity (W), promoting either replacement it to a surface (T = 800 Ё C), or migration in a crystal ( V t > 200 0C1 T = 950 °C). The presence of carbon at a film of metal is proved to raise the initial temperature and to slow down speed of reaction between a film and matrix.ru
Располагается в коллекциях:1999. Взаимодействие излучений с твердым телом

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
162-165.pdf4 MBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.