Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/206628
Title: Формирование приповерхностных структур на кремнии в условиях быстрой термообработки и примеси в зоне реакции
Other Titles: The surface structures formation on silicon during the rapid thermal treatment and the presence of an impurity in a reacting zone / O.R.Lyudchik, S.A.VoIk
Authors: Людчик, О. Р.
Волк, С. А.
Issue Date: 1999
Publisher: Минск : БГУ
Citation: Взаимодействие излучений с твердым телом: Материалы III междунар. науч. конф., 6-8 окт. 1999 г., Минск: В 2 ч. Ч.2. — Мн.: БГУ, 1999. — С. 162-165.
Abstract: Исследованы процессы формирования силицидов в системе пленка-матрица в условиях присутствия примеси в пленке. На примере системы Ni(W)-Si показано, что температура и скорость нагрева при быстрой термообработке определяет поведение слабодиффундирующей примеси. Присутствие углерода в пленке металла повышает начальную температуру реакции и замедляет ее скорость.
Abstract (in another language): The processes of silicide formation in system a film - matrix with presence of an impurity in a reacting film (structures Ni (W) –Si and Ni (C) -Si) are investigated. The speed of heating and temperature of a sample during the rapid thermal process (annealing) define the behavior of poorly -diffuse impurity (W), promoting either replacement it to a surface (T = 800 Ё C), or migration in a crystal ( V t > 200 0C1 T = 950 °C). The presence of carbon at a film of metal is proved to raise the initial temperature and to slow down speed of reaction between a film and matrix.
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/206628
ISBN: 985-445-237-9
Appears in Collections:1999. Взаимодействие излучений с твердым телом

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
162-165.pdf4 MBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.