Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/206546| Заглавие документа: | Влияние протонного облучения на параметры структур «кремний на сапфире» |
| Другое заглавие: | Influence of proton radiation on characteristics of silicon on sapphire structure / V.K.Kiselev, S.V.Obolensky, V.D.Skupov |
| Авторы: | Киселев, В. К. Оболенский, С. В. Скупов, В. Д. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 1999 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Взаимодействие излучений с твердым телом: Материалы III междунар. науч. конф., 6-8 окт. 1999 г., Минск: В 2 ч. Ч.2. — Мн.: БГУ, 1999. — С. 52-53. |
| Аннотация: | Приводятся результаты исследований вольт-амперных характеристик тестовых встречно-штыревых структур, образующих барьер Шоттки с эпитаксиальным слоем кремния на сапфировых подложках, до и после облучения протонами. Установлено, что протонирование улучшает электрические характеристики структур. Эффект объясняется геттерирующим действием радиационных дефектов на исходные структурные нарушения в кремниевой пленке. |
| Аннотация (на другом языке): | Current-voltage characteristics of test interdigital structures were investigated without and after proton bombardment. Interdigital structure forms Shottky barrier with epitaxial lay of silicon on the sapphire base. Obtained result allows to note improvement of electrophysical characteristics of the structures after bombardment. This fact is explained by influence of radiation defects on native one in silicon film. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/206546 |
| ISBN: | 985-445-237-9 |
| Располагается в коллекциях: | 1999. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.