Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
  2. Физический факультет
  3. НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ ФИЗИЧЕСКОГО ФАКУЛЬТЕТА
  4. Сборники научных статей и материалы конференций физического факультета
  5. Взаимодействие излучений с твердым телом
  6. 1999. Взаимодействие излучений с твердым телом
Даты публикации Авторы Заглавия Темы
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/206546
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorКиселев, В. К.-
dc.contributor.authorОболенский, С. В.-
dc.contributor.authorСкупов, В. Д.-
dc.date.accessioned2018-10-03T12:49:32Z-
dc.date.available2018-10-03T12:49:32Z-
dc.date.issued1999-
dc.identifier.citationВзаимодействие излучений с твердым телом: Материалы III междунар. науч. конф., 6-8 окт. 1999 г., Минск: В 2 ч. Ч.2. — Мн.: БГУ, 1999. — С. 52-53.ru
dc.identifier.isbn985-445-237-9-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/206546-
dc.description.abstractПриводятся результаты исследований вольт-амперных характеристик тестовых встречно-штыревых структур, образующих барьер Шоттки с эпитаксиальным слоем кремния на сапфировых подложках, до и после облучения протонами. Установлено, что протонирование улучшает электрические характеристики структур. Эффект объясняется геттерирующим действием радиационных дефектов на исходные структурные нарушения в кремниевой пленке.ru
dc.language.isoruru
dc.publisherМинск : БГУru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleВлияние протонного облучения на параметры структур «кремний на сапфире»ru
dc.title.alternativeInfluence of proton radiation on characteristics of silicon on sapphire structure / V.K.Kiselev, S.V.Obolensky, V.D.Skupovru
dc.typeconference paperru
dc.description.alternativeCurrent-voltage characteristics of test interdigital structures were investigated without and after proton bombardment. Interdigital structure forms Shottky barrier with epitaxial lay of silicon on the sapphire base. Obtained result allows to note improvement of electrophysical characteristics of the structures after bombardment. This fact is explained by influence of radiation defects on native one in silicon film.ru
Располагается в коллекциях:1999. Взаимодействие излучений с твердым телом

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
52-53.pdf2,25 MBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.