Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/206546
Title: Влияние протонного облучения на параметры структур «кремний на сапфире»
Other Titles: Influence of proton radiation on characteristics of silicon on sapphire structure / V.K.Kiselev, S.V.Obolensky, V.D.Skupov
Authors: Киселев, В. К.
Оболенский, С. В.
Скупов, В. Д.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 1999
Publisher: Минск : БГУ
Citation: Взаимодействие излучений с твердым телом: Материалы III междунар. науч. конф., 6-8 окт. 1999 г., Минск: В 2 ч. Ч.2. — Мн.: БГУ, 1999. — С. 52-53.
Abstract: Приводятся результаты исследований вольт-амперных характеристик тестовых встречно-штыревых структур, образующих барьер Шоттки с эпитаксиальным слоем кремния на сапфировых подложках, до и после облучения протонами. Установлено, что протонирование улучшает электрические характеристики структур. Эффект объясняется геттерирующим действием радиационных дефектов на исходные структурные нарушения в кремниевой пленке.
Abstract (in another language): Current-voltage characteristics of test interdigital structures were investigated without and after proton bombardment. Interdigital structure forms Shottky barrier with epitaxial lay of silicon on the sapphire base. Obtained result allows to note improvement of electrophysical characteristics of the structures after bombardment. This fact is explained by influence of radiation defects on native one in silicon film.
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/206546
ISBN: 985-445-237-9
Appears in Collections:1999. Взаимодействие излучений с твердым телом

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
52-53.pdf2,25 MBAdobe PDFView/Open


PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.