Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/204322
Title: | Радиационно-термическая активация легирующих примесеи в кремнии |
Other Titles: | Radiation-thermal activation of alloyed impurities in silicon / I. I. Kolkovskii, A. M. Rusetski , V. V. Lukjanitsa |
Authors: | Колковский, И. И. Русецкий, А. М. Лукьяница, В. В. |
Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
Issue Date: | 1999 |
Publisher: | Минск : БГУ |
Citation: | Взаимодействие излучений с твердым телом: Материалы III междунар. науч. конф., 6-8 окт. 1999 г., Минск: В 2 ч. Ч.1. — Мн.: БГУ, 1999. — С. 110-112. |
Abstract: | В данной работе представлены результаты исследований влияния высокотемпературной обработки и гамма-облучения на распределения легирующих примесей бора и фосфора в кремнии большого диаметра. Установлено, что в кристаллах п- и p-типа проводимости сразу после их выращивания значительная доля легирующих примесей может находиться на распределения легирующих примесей бора и фосфора в кремнии большого диаметра. Установлено, что в кристаллах п- и p-типа проводимости сразу после их выращивания значительная доля легирующих примесей может находиться в электрически неактивном состоянии (предположительно занимать междоузельное положение). Причем доля этих примесей, находящихся в электрически неактивном состоянии, хотя и различна в п- и p-Si, однако уменьшается от начала к концу в обоих слитках. Показано, что, проводя радиацонно-термическую обработку кристаллов, можно активировать эту часть легирующих примесей и тем самым изменить их распределение по кристаллу. |
Abstract (in another language): | The results of investigations of the influence hightemperature treatment (t = 750°C) and gamma-radiation on the distribution of alloyed impurities of boron and phosphorus in n- and p-silicon (p = 4,5 -12 Om.sm) of greater diameter (Ф«150 mm) are shown in the above study. The results have been obtained from the measurements using the method Van-der Pau of temperature (78-400 K) dependencies of the Hali coefficient. It has been established that on thermal treatment alongside with annealing growing thermodonors activation of that part of alloyed impurities of boron and phosphorus which was in electrically non-active state in initial crystals occurs. Though the part of these impurities that are in electrically non-active states is different in n- and p-Si, it decreases from the beginning to the end in both ingots. Besides "thermal" radiation-induced activation of alloyed impurities takes place in gamma-radiation of initial and thermo-treated crystals: The interpretation of the results obtained is given suggesting the presence of impurity - defect accumulations heterogeneously distributed according to ingot and including the alloyed impurity of boron and phosphorus in their composition in interstitial position. Takes place in gamma-radiation of initial and thermo-treated crystals: The interpretation of the results obtained is given suggesting the presence of impurity - defect accumulations heterogeneously distributed according to ingot and including the alloyed impurity of boron and phosphorus in their composition in interstitial position. The regularities established give the possibility to change within the certain limits the character of distribution of alloyed impurities in crystals using radiation - thermal treatment. The regularities established give the possibility to change within the certain limits the character of distribution of alloyed impurities in crystals using radiation - thermal treatment. This document has been edited with Infix PDF Editor- free for non-commercial use. To remove this notice, visit: www.iceni.com/unlock.ht |
URI: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/204322 |
ISBN: | 985-445-236-0 |
Appears in Collections: | 1999. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
110-112.pdf | 239,25 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.