Радиационно-термическая активация легирующих примесеи в кремнии

Abstract

В данной работе представлены результаты исследований влияния высокотемпературной обработки и гамма-облучения на распределения легирующих примесей бора и фосфора в кремнии большого диаметра. Установлено, что в кристаллах п- и p-типа проводимости сразу после их выращивания значительная доля легирующих примесей может находиться на распределения легирующих примесей бора и фосфора в кремнии большого диаметра. Установлено, что в кристаллах п- и p-типа проводимости сразу после их выращивания значительная доля легирующих примесей может находиться в электрически неактивном состоянии (предположительно занимать междоузельное положение). Причем доля этих примесей, находящихся в электрически неактивном состоянии, хотя и различна в п- и p-Si, однако уменьшается от начала к концу в обоих слитках. Показано, что, проводя радиацонно-термическую обработку кристаллов, можно активировать эту часть легирующих примесей и тем самым изменить их распределение по кристаллу.