Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/204322| Заглавие документа: | Радиационно-термическая активация легирующих примесеи в кремнии |
| Другое заглавие: | Radiation-thermal activation of alloyed impurities in silicon / I. I. Kolkovskii, A. M. Rusetski , V. V. Lukjanitsa |
| Авторы: | Колковский, И. И. Русецкий, А. М. Лукьяница, В. В. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 1999 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Взаимодействие излучений с твердым телом: Материалы III междунар. науч. конф., 6-8 окт. 1999 г., Минск: В 2 ч. Ч.1. — Мн.: БГУ, 1999. — С. 110-112. |
| Аннотация: | В данной работе представлены результаты исследований влияния высокотемпературной обработки и гамма-облучения на распределения легирующих примесей бора и фосфора в кремнии большого диаметра. Установлено, что в кристаллах п- и p-типа проводимости сразу после их выращивания значительная доля легирующих примесей может находиться на распределения легирующих примесей бора и фосфора в кремнии большого диаметра. Установлено, что в кристаллах п- и p-типа проводимости сразу после их выращивания значительная доля легирующих примесей может находиться в электрически неактивном состоянии (предположительно занимать междоузельное положение). Причем доля этих примесей, находящихся в электрически неактивном состоянии, хотя и различна в п- и p-Si, однако уменьшается от начала к концу в обоих слитках. Показано, что, проводя радиацонно-термическую обработку кристаллов, можно активировать эту часть легирующих примесей и тем самым изменить их распределение по кристаллу. |
| Аннотация (на другом языке): | The results of investigations of the influence hightemperature treatment (t = 750°C) and gamma-radiation on the distribution of alloyed impurities of boron and phosphorus in n- and p-silicon (p = 4,5 -12 Om.sm) of greater diameter (Ф«150 mm) are shown in the above study. The results have been obtained from the measurements using the method Van-der Pau of temperature (78-400 K) dependencies of the Hali coefficient. It has been established that on thermal treatment alongside with annealing growing thermodonors activation of that part of alloyed impurities of boron and phosphorus which was in electrically non-active state in initial crystals occurs. Though the part of these impurities that are in electrically non-active states is different in n- and p-Si, it decreases from the beginning to the end in both ingots. Besides "thermal" radiation-induced activation of alloyed impurities takes place in gamma-radiation of initial and thermo-treated crystals: The interpretation of the results obtained is given suggesting the presence of impurity - defect accumulations heterogeneously distributed according to ingot and including the alloyed impurity of boron and phosphorus in their composition in interstitial position. Takes place in gamma-radiation of initial and thermo-treated crystals: The interpretation of the results obtained is given suggesting the presence of impurity - defect accumulations heterogeneously distributed according to ingot and including the alloyed impurity of boron and phosphorus in their composition in interstitial position. The regularities established give the possibility to change within the certain limits the character of distribution of alloyed impurities in crystals using radiation - thermal treatment. The regularities established give the possibility to change within the certain limits the character of distribution of alloyed impurities in crystals using radiation - thermal treatment. This document has been edited with Infix PDF Editor- free for non-commercial use. To remove this notice, visit: www.iceni.com/unlock.ht |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/204322 |
| ISBN: | 985-445-236-0 |
| Располагается в коллекциях: | 1999. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 110-112.pdf | 239,25 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.