Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/204313| Title: | Генерационно - рекомбинационный механизм прыжкового переноса зарядов в сильнодефектных полупроводниках |
| Other Titles: | Mechanism of generation-tecombination of jump transfer of charges in semiconductors / P. Zhukovsky, Ya. Partyka, P. Vengerek, M. Kozak, Yu. Shostak, Yu. Sidorenko |
| Authors: | Жуковски, П. Лартыка, Я. Венгерэк, П. Козак, М. Шостак, Ю. Сидоренко, Ю. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 1999 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Взаимодействие излучений с твердым телом: Материалы III междунар. науч. конф., 6-8 окт. 1999 г., Минск: В 2 ч. Ч.1. — Мн.: БГУ, 1999. — С. 105-106. |
| Abstract: | В работе предложен рекомбинационно-генерационный механизм прыжкового обмена зарядами в сильнодефектных (аморфных) полупроводниках. |
| Abstract (in another language): | Mechanism generation-recombination of jump transfer of charges in amorphous semiconductors was proposed in this work. |
| URI: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/204313 |
| ISBN: | 985-445-236-0 |
| Appears in Collections: | 1999. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 105-106.pdf | 191,91 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.