Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/204313Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Жуковски, П. | - |
| dc.contributor.author | Лартыка, Я. | - |
| dc.contributor.author | Венгерэк, П. | - |
| dc.contributor.author | Козак, М. | - |
| dc.contributor.author | Шостак, Ю. | - |
| dc.contributor.author | Сидоренко, Ю. | - |
| dc.date.accessioned | 2018-08-27T12:07:18Z | - |
| dc.date.available | 2018-08-27T12:07:18Z | - |
| dc.date.issued | 1999 | - |
| dc.identifier.citation | Взаимодействие излучений с твердым телом: Материалы III междунар. науч. конф., 6-8 окт. 1999 г., Минск: В 2 ч. Ч.1. — Мн.: БГУ, 1999. — С. 105-106. | ru |
| dc.identifier.isbn | 985-445-236-0 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/204313 | - |
| dc.description.abstract | В работе предложен рекомбинационно-генерационный механизм прыжкового обмена зарядами в сильнодефектных (аморфных) полупроводниках. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Минск : БГУ | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Генерационно - рекомбинационный механизм прыжкового переноса зарядов в сильнодефектных полупроводниках | ru |
| dc.title.alternative | Mechanism of generation-tecombination of jump transfer of charges in semiconductors / P. Zhukovsky, Ya. Partyka, P. Vengerek, M. Kozak, Yu. Shostak, Yu. Sidorenko | ru |
| dc.type | conference paper | ru |
| dc.description.alternative | Mechanism generation-recombination of jump transfer of charges in amorphous semiconductors was proposed in this work. | ru |
| Располагается в коллекциях: | 1999. Взаимодействие излучений с твердым телом | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 105-106.pdf | 191,91 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.