Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/204313| Заглавие документа: | Генерационно - рекомбинационный механизм прыжкового переноса зарядов в сильнодефектных полупроводниках |
| Другое заглавие: | Mechanism of generation-tecombination of jump transfer of charges in semiconductors / P. Zhukovsky, Ya. Partyka, P. Vengerek, M. Kozak, Yu. Shostak, Yu. Sidorenko |
| Авторы: | Жуковски, П. Лартыка, Я. Венгерэк, П. Козак, М. Шостак, Ю. Сидоренко, Ю. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 1999 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Взаимодействие излучений с твердым телом: Материалы III междунар. науч. конф., 6-8 окт. 1999 г., Минск: В 2 ч. Ч.1. — Мн.: БГУ, 1999. — С. 105-106. |
| Аннотация: | В работе предложен рекомбинационно-генерационный механизм прыжкового обмена зарядами в сильнодефектных (аморфных) полупроводниках. |
| Аннотация (на другом языке): | Mechanism generation-recombination of jump transfer of charges in amorphous semiconductors was proposed in this work. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/204313 |
| ISBN: | 985-445-236-0 |
| Располагается в коллекциях: | 1999. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 105-106.pdf | 191,91 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.