Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/204309| Заглавие документа: | Рекомбинация носителей заряда в облученном кремнии, содержащем ростовые микродефекты |
| Другое заглавие: | Recombination of charge carriers in irradifted silicon containing as-grown microdefects / P.P.Lugakov, L.A.Kazakevich |
| Авторы: | Лугаков, П. Ф. Казакевич, Л. А. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2001 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Взаимодействие излучений с твердым телом: материалы IV Междунар. науч. конф., 3-5 окт. 2001 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2001. — С. 176-177 |
| Аннотация: | Описаны процессы рекомбинации неравновесных носителей заряда на радиационных дефеістах в кремнии, содержащем ростовые микродефекты. Показано, что наличие областей пространственного заряда и потенциальных барьеров в объеме кристаллов приводит к особенностям в радиационном изменении времени жизни носителей заряда и в их инжекционных зависимостях. |
| Аннотация (на другом языке): | The nonequilibrium carrier recombination processes are studied in n-Si containing microdefects of various types after irradiation with ®°Co Y-rays. The regularities established of the charge-carrier lifetime variation and its dependence on radiation treatments of the crystals studied are explained. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/204309 |
| ISBN: | 985-445-236-0 |
| Располагается в коллекциях: | 2001. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 176-177.pdf | 520,52 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.