Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/204309| Title: | Рекомбинация носителей заряда в облученном кремнии, содержащем ростовые микродефекты |
| Other Titles: | Recombination of charge carriers in irradifted silicon containing as-grown microdefects / P.P.Lugakov, L.A.Kazakevich |
| Authors: | Лугаков, П. Ф. Казакевич, Л. А. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2001 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Взаимодействие излучений с твердым телом: материалы IV Междунар. науч. конф., 3-5 окт. 2001 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2001. — С. 176-177 |
| Abstract: | Описаны процессы рекомбинации неравновесных носителей заряда на радиационных дефеістах в кремнии, содержащем ростовые микродефекты. Показано, что наличие областей пространственного заряда и потенциальных барьеров в объеме кристаллов приводит к особенностям в радиационном изменении времени жизни носителей заряда и в их инжекционных зависимостях. |
| Abstract (in another language): | The nonequilibrium carrier recombination processes are studied in n-Si containing microdefects of various types after irradiation with ®°Co Y-rays. The regularities established of the charge-carrier lifetime variation and its dependence on radiation treatments of the crystals studied are explained. |
| URI: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/204309 |
| ISBN: | 985-445-236-0 |
| Appears in Collections: | 2001. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 176-177.pdf | 520,52 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.