Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/204309
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorЛугаков, П. Ф.-
dc.contributor.authorКазакевич, Л. А.-
dc.date.accessioned2018-08-27T11:20:03Z-
dc.date.available2018-08-27T11:20:03Z-
dc.date.issued2001-
dc.identifier.citationВзаимодействие излучений с твердым телом: материалы IV Междунар. науч. конф., 3-5 окт. 2001 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2001. — С. 176-177ru
dc.identifier.isbn985-445-236-0-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/204309-
dc.description.abstractОписаны процессы рекомбинации неравновесных носителей заряда на радиационных дефеістах в кремнии, содержащем ростовые микродефекты. Показано, что наличие областей пространственного заряда и потенциальных барьеров в объеме кристаллов приводит к особенностям в радиационном изменении времени жизни носителей заряда и в их инжекционных зависимостях.ru
dc.language.isoruru
dc.publisherМинск : БГУru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleРекомбинация носителей заряда в облученном кремнии, содержащем ростовые микродефектыru
dc.title.alternativeRecombination of charge carriers in irradifted silicon containing as-grown microdefects / P.P.Lugakov, L.A.Kazakevichru
dc.typeconference paperru
dc.description.alternativeThe nonequilibrium carrier recombination processes are studied in n-Si containing microdefects of various types after irradiation with ®°Co Y-rays. The regularities established of the charge-carrier lifetime variation and its dependence on radiation treatments of the crystals studied are explained.ru
Располагается в коллекциях:2001. Взаимодействие излучений с твердым телом

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
176-177.pdf520,52 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.