Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/204309
Заглавие документа: Рекомбинация носителей заряда в облученном кремнии, содержащем ростовые микродефекты
Другое заглавие: Recombination of charge carriers in irradifted silicon containing as-grown microdefects / P.P.Lugakov, L.A.Kazakevich
Авторы: Лугаков, П. Ф.
Казакевич, Л. А.
Тема: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Дата публикации: 2001
Издатель: Минск : БГУ
Библиографическое описание источника: Взаимодействие излучений с твердым телом: материалы IV Междунар. науч. конф., 3-5 окт. 2001 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2001. — С. 176-177
Аннотация: Описаны процессы рекомбинации неравновесных носителей заряда на радиационных дефеістах в кремнии, содержащем ростовые микродефекты. Показано, что наличие областей пространственного заряда и потенциальных барьеров в объеме кристаллов приводит к особенностям в радиационном изменении времени жизни носителей заряда и в их инжекционных зависимостях.
Аннотация (на другом языке): The nonequilibrium carrier recombination processes are studied in n-Si containing microdefects of various types after irradiation with ®°Co Y-rays. The regularities established of the charge-carrier lifetime variation and its dependence on radiation treatments of the crystals studied are explained.
URI документа: http://elib.bsu.by/handle/123456789/204309
ISBN: 985-445-236-0
Располагается в коллекциях:2001. Взаимодействие излучений с твердым телом

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
176-177.pdf520,52 kBAdobe PDFОткрыть
Показать полное описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.