Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/204291| Title: | Генерационно - рекомбинационный механизм прыжкового обмена зарядами в полупроводниках с зоной глубокихуровней |
| Other Titles: | Generation - recombination model of jumping recharging in semiconductors with a deep level band / P.Zukowski, J.Partyka, P.Wfgierek, M.Kowalski, A.Rodzik, Yu.Shostak, Yu.Sidorenko |
| Authors: | Жуковский, П. В. Партыка, Я. Венгерэк, П. Ковальски, М. Родзик, А. Шостак, Ю. А. Сидоренко, Ю. В. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2001 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Взаимодействие излучений с твердым телом: материалы IV Междунар. науч. конф., 3-5 окт. 2001 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2001. — С. 145-150 |
| Abstract: | В работе исследовано влияние зоны глубоких уровней дефектов на процесы прыжкового обмена зарядов. |
| Abstract (in another language): | Results of a research into the effect of a deep level band on processes of jumping recharging have been presented. |
| URI: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/204291 |
| ISBN: | 985-445-236-0 |
| Appears in Collections: | 2001. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 145-150.pdf | 1,29 MB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.