Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/204291Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Жуковский, П. В. | - |
| dc.contributor.author | Партыка, Я. | - |
| dc.contributor.author | Венгерэк, П. | - |
| dc.contributor.author | Ковальски, М. | - |
| dc.contributor.author | Родзик, А. | - |
| dc.contributor.author | Шостак, Ю. А. | - |
| dc.contributor.author | Сидоренко, Ю. В. | - |
| dc.date.accessioned | 2018-08-27T10:07:15Z | - |
| dc.date.available | 2018-08-27T10:07:15Z | - |
| dc.date.issued | 2001 | - |
| dc.identifier.citation | Взаимодействие излучений с твердым телом: материалы IV Междунар. науч. конф., 3-5 окт. 2001 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2001. — С. 145-150 | ru |
| dc.identifier.isbn | 985-445-236-0 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/204291 | - |
| dc.description.abstract | В работе исследовано влияние зоны глубоких уровней дефектов на процесы прыжкового обмена зарядов. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Минск : БГУ | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Генерационно - рекомбинационный механизм прыжкового обмена зарядами в полупроводниках с зоной глубокихуровней | ru |
| dc.title.alternative | Generation - recombination model of jumping recharging in semiconductors with a deep level band / P.Zukowski, J.Partyka, P.Wfgierek, M.Kowalski, A.Rodzik, Yu.Shostak, Yu.Sidorenko | ru |
| dc.type | conference paper | ru |
| dc.description.alternative | Results of a research into the effect of a deep level band on processes of jumping recharging have been presented. | ru |
| Располагается в коллекциях: | 2001. Взаимодействие излучений с твердым телом | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 145-150.pdf | 1,29 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.