Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/204291| Заглавие документа: | Генерационно - рекомбинационный механизм прыжкового обмена зарядами в полупроводниках с зоной глубокихуровней |
| Другое заглавие: | Generation - recombination model of jumping recharging in semiconductors with a deep level band / P.Zukowski, J.Partyka, P.Wfgierek, M.Kowalski, A.Rodzik, Yu.Shostak, Yu.Sidorenko |
| Авторы: | Жуковский, П. В. Партыка, Я. Венгерэк, П. Ковальски, М. Родзик, А. Шостак, Ю. А. Сидоренко, Ю. В. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2001 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Взаимодействие излучений с твердым телом: материалы IV Междунар. науч. конф., 3-5 окт. 2001 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2001. — С. 145-150 |
| Аннотация: | В работе исследовано влияние зоны глубоких уровней дефектов на процесы прыжкового обмена зарядов. |
| Аннотация (на другом языке): | Results of a research into the effect of a deep level band on processes of jumping recharging have been presented. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/204291 |
| ISBN: | 985-445-236-0 |
| Располагается в коллекциях: | 2001. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 145-150.pdf | 1,29 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.