Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/204262| Title: | Эффекты в полупроводниковых структурах, стимулированные мощным электромагнитным излучением |
| Other Titles: | The effects in metal-semiconductor structures stimulated by high-power electromagnetic radiation / N.S.Boltovets, A.B.Kamalov, R.V.Konakova, E.Yu.Koiyadina, L.A.Matveeva, V.V.Milenin, E.Atanasova |
| Authors: | Болтовец, Н. С. Камалов, А. Б. Конакова, Р. В. Колядина, Е. Ю. Матвеева, Л. А. Миленин, В. В. Атанасова, Е. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2001 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Взаимодействие излучений с твердым телом: материалы IV Междунар. науч. конф., 3-5 окт. 2001 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2001. — С. 114-116 |
| Abstract: | Рассмотрено влияние электромагнитного излучения частотой f=2,45 ГГц удельной мощностью 1,5Вт/см^2 на релаксацию внутренних механических напряжений в полупроводниковых приборных структурах (Si, GaAs, GaP) и связанные с ней эффекты структурно-примесного упорядочения сопровождающиеся изменением параметров барьерных структур - увеличением высоты барьера Шоттки и уменьшением фактора идеальности. |
| Abstract (in another language): | We consider the effect of electromagnetic radiation (frequency of 2.45 GHz, irradiance of 1.5 W/cm^) on tlie intrinsic stress relaxation in semiconductor (Si, GaAs, GaP) device structures, as well as related effects of structural-defect ordering. They are accompanied by changes in the barrier structure parameters (growth of the Schottky barrier height and decrease of the ideality factor n). |
| URI: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/204262 |
| ISBN: | 985-445-236-0 |
| Appears in Collections: | 2001. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 114-116.pdf | 742,03 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.