Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: http://elib.bsu.by/handle/123456789/204262
Title: Эффекты в полупроводниковых структурах, стимулированные мощным электромагнитным излучением
Other Titles: The effects in metal-semiconductor structures stimulated by high-power electromagnetic radiation / N.S.Boltovets, A.B.Kamalov, R.V.Konakova, E.Yu.Koiyadina, L.A.Matveeva, V.V.Milenin, E.Atanasova
Authors: Болтовец, Н. С.
Камалов, А. Б.
Конакова, Р. В.
Колядина, Е. Ю.
Матвеева, Л. А.
Миленин, В. В.
Атанасова, Е.
Issue Date: 2001
Publisher: Минск : БГУ
Citation: Взаимодействие излучений с твердым телом: материалы IV Междунар. науч. конф., 3-5 окт. 2001 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2001. — С. 114-116
Abstract: Рассмотрено влияние электромагнитного излучения частотой f=2,45 ГГц удельной мощностью 1,5Вт/см^2 на релаксацию внутренних механических напряжений в полупроводниковых приборных структурах (Si, GaAs, GaP) и связанные с ней эффекты структурно-примесного упорядочения сопровождающиеся изменением параметров барьерных структур - увеличением высоты барьера Шоттки и уменьшением фактора идеальности.
Abstract (in another language): We consider the effect of electromagnetic radiation (frequency of 2.45 GHz, irradiance of 1.5 W/cm^) on tlie intrinsic stress relaxation in semiconductor (Si, GaAs, GaP) device structures, as well as related effects of structural-defect ordering. They are accompanied by changes in the barrier structure parameters (growth of the Schottky barrier height and decrease of the ideality factor n).
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/204262
ISBN: 985-445-236-0
Appears in Collections:2001. Взаимодействие излучений с твердым телом

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
114-116.pdf742,03 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.