Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/204262Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Болтовец, Н. С. | - |
| dc.contributor.author | Камалов, А. Б. | - |
| dc.contributor.author | Конакова, Р. В. | - |
| dc.contributor.author | Колядина, Е. Ю. | - |
| dc.contributor.author | Матвеева, Л. А. | - |
| dc.contributor.author | Миленин, В. В. | - |
| dc.contributor.author | Атанасова, Е. | - |
| dc.date.accessioned | 2018-08-27T06:45:21Z | - |
| dc.date.available | 2018-08-27T06:45:21Z | - |
| dc.date.issued | 2001 | - |
| dc.identifier.citation | Взаимодействие излучений с твердым телом: материалы IV Междунар. науч. конф., 3-5 окт. 2001 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2001. — С. 114-116 | ru |
| dc.identifier.isbn | 985-445-236-0 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/204262 | - |
| dc.description.abstract | Рассмотрено влияние электромагнитного излучения частотой f=2,45 ГГц удельной мощностью 1,5Вт/см^2 на релаксацию внутренних механических напряжений в полупроводниковых приборных структурах (Si, GaAs, GaP) и связанные с ней эффекты структурно-примесного упорядочения сопровождающиеся изменением параметров барьерных структур - увеличением высоты барьера Шоттки и уменьшением фактора идеальности. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Минск : БГУ | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Эффекты в полупроводниковых структурах, стимулированные мощным электромагнитным излучением | ru |
| dc.title.alternative | The effects in metal-semiconductor structures stimulated by high-power electromagnetic radiation / N.S.Boltovets, A.B.Kamalov, R.V.Konakova, E.Yu.Koiyadina, L.A.Matveeva, V.V.Milenin, E.Atanasova | ru |
| dc.type | conference paper | ru |
| dc.description.alternative | We consider the effect of electromagnetic radiation (frequency of 2.45 GHz, irradiance of 1.5 W/cm^) on tlie intrinsic stress relaxation in semiconductor (Si, GaAs, GaP) device structures, as well as related effects of structural-defect ordering. They are accompanied by changes in the barrier structure parameters (growth of the Schottky barrier height and decrease of the ideality factor n). | ru |
| Располагается в коллекциях: | 2001. Взаимодействие излучений с твердым телом | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 114-116.pdf | 742,03 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.