Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/204262| Заглавие документа: | Эффекты в полупроводниковых структурах, стимулированные мощным электромагнитным излучением |
| Другое заглавие: | The effects in metal-semiconductor structures stimulated by high-power electromagnetic radiation / N.S.Boltovets, A.B.Kamalov, R.V.Konakova, E.Yu.Koiyadina, L.A.Matveeva, V.V.Milenin, E.Atanasova |
| Авторы: | Болтовец, Н. С. Камалов, А. Б. Конакова, Р. В. Колядина, Е. Ю. Матвеева, Л. А. Миленин, В. В. Атанасова, Е. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2001 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Взаимодействие излучений с твердым телом: материалы IV Междунар. науч. конф., 3-5 окт. 2001 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2001. — С. 114-116 |
| Аннотация: | Рассмотрено влияние электромагнитного излучения частотой f=2,45 ГГц удельной мощностью 1,5Вт/см^2 на релаксацию внутренних механических напряжений в полупроводниковых приборных структурах (Si, GaAs, GaP) и связанные с ней эффекты структурно-примесного упорядочения сопровождающиеся изменением параметров барьерных структур - увеличением высоты барьера Шоттки и уменьшением фактора идеальности. |
| Аннотация (на другом языке): | We consider the effect of electromagnetic radiation (frequency of 2.45 GHz, irradiance of 1.5 W/cm^) on tlie intrinsic stress relaxation in semiconductor (Si, GaAs, GaP) device structures, as well as related effects of structural-defect ordering. They are accompanied by changes in the barrier structure parameters (growth of the Schottky barrier height and decrease of the ideality factor n). |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/204262 |
| ISBN: | 985-445-236-0 |
| Располагается в коллекциях: | 2001. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 114-116.pdf | 742,03 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.